超芯星革新性推出8mΩ·cm低阻碳化硅衬底，重新定义功率器件效能边界！
发表时间： 2025-09-01 09:00:00
作者： 江苏超芯星半导体有限公司
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超芯星新一代8mΩ·cm低阻碳化硅衬底，拥有零TSD缺陷和极低的BPD密度（53个/cm2）的卓越晶质，将为下游客户带来四大核心变革。
超芯星新一代8mΩ·cm低阻碳化硅衬底，拥有零TSD缺陷和极低的BPD密度（53个/cm2）的卓越晶质，将为下游客户带来四大核心变革：
- 导通损耗大幅降低，系统效率显著提升
- 运行温度显著下降，可靠性增强，功率密度再突破
- 开关性能明显优化，响应更快、损耗更低
- 整体成本更具竞争力，为产品升级预留更大空间
2025年9月1日，全球首发。
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