超芯星在碳化硅材料热管理领域实现重大技术突破！

在算力持续攀升的科技进程中，高效散热已成为提升芯片性能的关键。今日，我公司欣然宣布，在碳化硅衬底材料新技术上取得一项重要进展：经客户方采用专业设备严格测试，我们的产品展现出卓越的热管理性能！

热导率数据达到560W/(m·K)！

重新定义碳化硅材料性能标杆！

关于此数据的背景与意义

在材料科学领域，高纯度碳化硅（SiC），在室温附件的典型理论热导率值普遍被认知在420-490W/(m·K)范围内。我公司产品所实现的测试结果，标志着我们在特定技术路径下，将材料的实测热导率推向了业界前所未有的高水平！

此项突破的技术价值与应用前景

当行业领导者如英伟达指出“散热是下一代计算平台最大挑战”时，其本质是对高效能热管理方案的迫切需求。随着芯片功率密度的增加，要求基础材料能更快地将热量导离核心区域。

超芯星的技术进展，预示着以下潜在价值——

这份沉甸甸的测试报告，是超芯星团队多年来深耕半导体材料领域，坚持自主研发、精益求精的最佳证明。我们始终坚信，基础材料的突破是推动科技进步的最底层动力。通过对晶体生长工艺、缺陷控制技术等核心环节的持续攻坚，我们成功驾驭了材料的微观世界，让梦想照进现实。

站在材料科学的新起点，江苏超芯星半导体有限公司将继续与全球合作伙伴一道，共同推动半导体技术边界，为构建一个更高效、更智能、更强大的数字世界，贡献超“芯”星力量！